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MPS最新发布的几款同步升压变换器芯片和同步降压变换器芯片

更新时间: 发布时间: 来源:温柔女杀手 96

MPS最新发布的几款同步升压变换器芯片和同步降压变换器芯片

1.MP3435:19A、600kHz、22V 输出、带输入断连功能的同步升压变换器

MP3435是一款600kHz、固定频率、高效率、高度集成的升压变换器。它可在宽输入电压 (VIN) 范围内工作,并具备可选的输入断连功能和输入平均电流限制功能。

输入断连功能可以在输出短路或关断期间将输入与输出隔离,从而提供额外的保护功能。对电池供电应用而言,该功能还可以防止电池耗尽。而凭借可配置的输入平均电流限制功能,MP3435得以支持更广泛的应用。

MP3435内置10mΩ 下管 MOSFET (LS-FET) 和15mΩ 同步上管 MOSFET (HS-FET),可实现高效率与低 BOM 成本。其外部补偿引脚允许灵活设置环路动态,并获得所有工作条件下的最佳瞬态性能。

该器件还提供全面的保护功能,包括欠压锁定 (UVLO) 保护和开关限流,以及过温关断保护以防止在输出过载的情况下损坏器件。MP3435采用薄型 QFN-20(3mmx4mm) 封装。

产品特性和优势

·3V 至20V 宽输入电压 (VIN) 范围

· 高达22V 的输出电压 (VOUT)

· 集成15mΩ/10mΩ 功率 MOSFET

·19A 内部开关电流限制或可配置外部输入电流限制

· 输入断连功能

· 输出短路保护 (SCP)

· 外部软启动 (SS) 和补偿以提高灵活性

· 带迟滞模式的可配置欠压锁定 (UVLO) 保护

· 小于1μA 的关断电流

· 过温关断保护(150°C阈值)

· 采用 QFN-20(3mmx4mm) 封装

2.MP4323:42V 负载突降容限、3A、低静态电流、超紧凑型同步降压变换器

MP4323是一款频率可调(350kHz 至2.5MHz)的同步降压开关模式变换器,它内置上下管功率 MOSFET(HS-FET 和 LS-FET),在峰值电流控制模式下可实现高达3A 的高效输出电流 (IOUT)。

MP4323具有3.3V 至36V 的宽输入电压 (VIN) 范围和42V 的负载突降容限,可适用于汽车输入环境中的各种降压应用。1μA 的关断电流 (ISD) 使该器件适用于电池供电应用。该器件还为汽车冷车启动条件提供高占空比和低压差 (LDO) 模式。

MP4323通过在轻载条件下降低开关频率 (fSW) 来降低开关和栅极驱动器损耗,从而在宽负载范围内实现高功率转换效率。

该器件还提供开漏电源正常 (PG) 信号,用于指示输出电压 (VOUT) 是否在其标称电压的94.5% 至105.5% 范围内。频率折返功能有助于防止启动期间电感电流的流失。过热关断保护则保证了操作的可靠性和容错性。

MP4323采用 QFN-12(2mmx3mm) 封装。

产品特性和优势

· 专为汽车应用而设计:

·42V 负载突降容限

· 支持3.1V 冷车启动条件

·3A 连续输出电流 (IOUT)

·3V 至36V 的宽工作输入电压 (VIN) 范围

· -40°C 至 +125°C 工作结温 (TJ) 范围

· 延长了电池寿命:

·1μA 关断电流 (ISD)

·20μA 睡眠模式静态电流 (IQ)

· 高级异步调制 (AAM) 模式可实现轻载条件下的高效率

· 具备改善散热性能的高性能:

· 集成70mΩ HS-FET 和50mΩ LS-FET

·65ns 最小导通时间 (tON_MIN)

·50ns 最小关断时间 (tOFF_MIN)

· 专门针对EMC/EMI 性能进行优化:

· 频谱扩展 (FSS) 调制

· 对称 VIN 引脚(引脚2和引脚10)

· 符合 CISPR255类标准

·350kHz 至2.5MHz 可调开关频率 (fSW)

· MeshConnect™ 倒装芯片封装

· 附加功能:

· 电源正常 (PG) 输出

· 低压差 (LDO) 模式

· 带打嗝模式的过流保护 (OCP)

· 采用 QFN-12(2mmx3mm) 封装

· 采用侧面镀锡封装

3.MP3431N:具有可配置输入电流限制功能的13V、21A 高效率全集成同步升压变换器

MP3431N 是一款高集成度升压变换器,具有600kHz 固定开关频率(fSW)和0.8V 至13V 宽输入电压(VIN)范围。该器件的启动电压 VIN低至2.7V,可支持单节电池提供的高达30W 的功率,集成低导通阻抗功率 MOSFET。恒定关断时间(COT)控制模式为其提供了快速瞬态响应。

在轻载条件下,可通过模式选择引脚(MODE)选择跳频模式(PSM)、强制连续导通模式(FCCM)或超音频模式(USM)。可配置输入电流(IIN)限制提供了精确的过载保护。下管 MOSFET(LS-FET)会限制逐周期电感峰值电流,而上管 MOSFET(HS-FET)可避免使用外部肖特基二极管。全方位保护功能包括可配置输入欠压锁定(UVLO)保护和过温保护(OTP)。

MP3431N 采用 QFN-15(3mmx4mm)封装。

产品特性和优势

· 启动电压范围:2.7V 至13V

·0.8V 至13V 工作输入电压(VIN)范围

·3.3V 输入电压下支持30W 的平均功率负载和40W 的峰值功率负载

· 可配置输入电流(IIN)限制

·21.5A 内部 MOSFET 限流

· 集成6.5mΩ 和10mΩ 功率 MOSFETs

·3.6V VIN 至15V/2A 时效率 >94%

· 在轻载工作条件下具有可选的跳频模式(PSM)、>23kHz 超音频模式(USM)、强制连续导通模式(FCCM)

· 固定开关频率(fSW):600kHz

· 用于快速瞬态响应的自适应恒定导通时间(COT)控制

· 外部软启动(SS)和补偿引脚

· 可配置欠压锁定(UVLO)保护和迟滞

·16.5V 过压保护(OVP)

·150°C 过温保护(OTP)

· 采用 QFN-15(3mmx4mm)封装

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