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电源设计说明：面向高性能应用的新型,SiC,和,GaN,FET,器件分析
在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。建立仿真我们将在接下来的测试和模拟中使用一些新一代 SiC 和GaN FET 器件，它们结合了新技术的许多优点。它们可以总结如下：· 在…
2023.4.30 -
电源设计说明：线性方案中的,SiC,MOSFET
SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。线性区电子元件的线性区(或…
2023.4.30
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